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835955-B21 Memória RAM HP 16GB DDR4-2666MHz ECC Registrada

"Maria Esther" (2018-04-08)

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HPE (Hewlett-Packard Enterprise) DDR4 SmartMemory apresenta muito bom funcionamento, confiabilidade e competência. O HP SmartMemory passa por exigentes processos de qualificação e teste que desbloqueiam recursos de funcionamento de memória estendidos acessíveis apenas com os servidores Hewlett Packard Enterprise Gen9 e Gen10. Este grande teste garante que a memória do servidor HP Enterprise seja totalmente compatível e otimizada pra servidores HP. Servidores que desbloqueiam certos recursos disponíveis somente com a memória do servidor qualificado HPE.


HPE SmartMemory permite a Servidores ProLiant Gen9 e Gen10 distinguir e examinar de modo confiável se a memória instalada passou pelos severos processos de qualificação e teste HPE. E porque a memória é autenticada, os recursos de desempenho de memória estendida são capazes de ser ativados por intermédio da ROM do sistema. Antes de observar as outras tecnologias em DIMM DDR4 para servidores ProLiant Gen10 (geração dez), revisemos mais rápido alguns dos conceitos básicos da tecnologia DIMM.


DRAM da tecnologia DIMM são compostos de chips DRAM que são agrupados para formar uma ou mais ranks. Cada chip DRAM contém arrays de locais de armazenamento de bits individuais. Um chip DRAM com um bilhão de locais de armazenamento é denominado como tecnologia de um Gigabit (um Gb). Observe a minúscula b em Gb. 8 chips de um Gb juntos são capazes de fornecer 1 Gigabyte (1 GB) de memória. Observe as maiúsculas e minúsculas B em GB.



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DIMMs DDR4 nos dias de hoje usam chips DRAM de 4 Gb e 8 Gb. Não é possível adicionar tecnologias DRAM no mesmo DIMM. Um chip DRAM podes ter 4 detalhes de sinais de I/O ou oito fatos de sinais de I/O. Estes são chamados x4 ou x8, pronunciados "X 4" ou "X 8", respectivamente. Um rank é um grupo de chips DRAM que são agrupados pra fornecer 64 bits (oito Bytes) de detalhes no barramento de memória. Todas os chips em um rank são controladas simultaneamente pelos mesmos sinais de Chip Select, Endereço e Comando.


Os DIMMs DDR4 estão disponíveis em single-,dual- e quad-ranks (1, 2 e 4 ranks respectivamente). Oito x8 chips DRAM ou 16 x 4 chips formam um rank. Todos os DIMMs para servidores HP Enterprise ProLiant com oito bits de Código de Correção de Erro (ECC) usam 9 chips x8 e 18 x 4 chips para cada rank. Velocidade diz-se à freqüência do clock da memória.


O subsistema de memória utiliza um clock diferenciado dos núcleos do processador e os controladores de memória usam esse clock pra coordenar as transferências de dados entre o controlador de memória e os DIMMs. Velocidade de memória nominal do processador. Cada paradigma de processador Intel Xeon suporta uma velocidade de memória máxima específica. Velocidade de memória nominal do DIMM. Os DIMM DDR4 são capazes de ser executados em diferentes velocidades ou frequências.


Número de ranks em um DIMM. Cada rank em um canal de memória inclui uma carga elétrica. À quantidade que as cargas elétricas aumentam, a integridade do sinal se degrada. Pra conservar a integridade do sinal, o canal de memória poderá ser executado a uma velocidade pequeno. Número de DIMMs preenchidos em um canal. O número de DIMMs anexados a um controlador de memória também afeta o carregamento e a integridade do sinal dos circuitos do controlador.


Para manter a integridade do sinal, o controlador de memória podes operar DIMMs numa velocidade inferior à tua. Em geral, quanto mais DIMMs forem preenchidos, pequeno será a velocidade operacional para os DIMMs. Configurações da BIOS. A ativação de definidos recursos do BIOS podes afetar a velocidade da memória. A memória DDR4 incorpora muitos aprimoramentos de teclas projetados pra ampliar o funcionamento, conter o consumo de energia e aumentar a confiabilidade em comparação com a memória DDR3. O conector DDR4 usa 288 pinos (em comparação com 240 pinos em DDR3).


Estes sinais extras são cruciais para oferecer o melhor funcionamento da memória DDR4 em ligação ao DDR3. O entalhe no conector DIMM DDR4 também está achado em uma localização diferente em conexão ao conector DDR3. Isso evita a acréscimo acidental de um DIMM DDR3 em um sistema DDR4. Operação de um,2 volts. Toda a memória DDR4 dá certo a um,dois volts, em comparação com 1,35 ou um,5 volts de memória DDR3. Aproveitando a chance, olhe bem como esse outro website, trata de um questão referente ao que escrevo por essa postagem, podes ser útil a leitura: visite o seguinte post.


Isto garante economias relevantes de energia do sistema, especificamente em configurações de memória maiores. Internamente, as DRAM usadas em DIMMs são organizadas em arrays de células instituídas por bancos, linhas e colunas. A memória DDR4 tem dezesseis bancos de memória em um chip DRAM em comparação com os 8 bancos em DDR3. Isso permite um acrescentamento no número de solicitações de memória que são capazes de ser enfileiradas pelo controlador de memória.



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